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SNJ54LS283J

SNJ54LS283J资料
SNJ54LS283J
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Manufacturer:TI
Description:  This N-Channel power MOSFET is   manufactured using the innovative   UltraFET® process. This advanced   process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low- voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
 
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  1PCS 100PCS 1K 10K  
价 格  
 
 
型 号:SNJ54LS283J
厂 家:TI
封 装:0449+
批 号:3
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