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SN54LS251J

SN54LS251J资料
SN54LS251J
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Manufacturer:TI
Description:ABA-31563 is fabricated using Agilents HP25 silicon bipolar process, which employs a double- diffused single polysilicon process with self-aligned submi- cron emitter geometry. The process is capable of simulta- neous high fT and high NPN breakdown (25 GHz fT at 6V BVCEO). The process utilizes industry standard device oxide isolation technologies and submicron aluminum multilayer interconnect to achieve superior performance, high uniformity, and proven reliability.
 
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型 号:SN54LS251J
厂 家:TI
封 装:0811+
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